FR
DE IT
Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
0
Catégories de produits :
Audio
>
315
Automatisme
>
19
Câbles
>
1775
Coffrets et boîtiers
>
1218
Composants passifs
>
14499
Connecteurs
>
5696
Dépannage
>
2247
Electronique de loisirs
>
542
Energie
>
1355
Informatique
>
58
Interrupteurs
>
976
Optoélectronique
>
2023
Outillage
>
1404
Pièces mécaniques
>
444
Protection électrique
>
1160
Refroidissement
>
764
Relais
>
874
Semi-conducteurs
>
14645
Transformateurs
>
568
Semi-conducteurs Diodes Diodes standard et de redressement

Diode EGP20B

Diode EGP20B
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantité HT TTC
1 - 9 0.44fr 0.48fr
10 - 24 0.42fr 0.45fr
25 - 49 0.40fr 0.43fr
50 - 99 0.38fr 0.41fr
100 - 236 0.37fr 0.40fr
Quantité U.P
1 - 9 0.44fr 0.48fr
10 - 24 0.42fr 0.45fr
25 - 49 0.40fr 0.43fr
50 - 99 0.38fr 0.41fr
100 - 236 0.37fr 0.40fr
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Quantité en stock : 236
Lot de 1

Diode EGP20B. Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 07:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 4699
BYV27-200-TAP

BYV27-200-TAP

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure ...
BYV27-200-TAP
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOD-57. Boîtier (norme JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..150uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.07V @ 3A
BYV27-200-TAP
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOD-57. Boîtier (norme JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..150uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.07V @ 3A
Lot de 1
0.83fr TTC
(0.77fr HT)
0.83fr
Quantité en stock : 25
FE3B

FE3B

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3...
FE3B
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3ms
FE3B
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. VRRM: 100V. Remarque: GL. Remarque: 125A/8.3ms
Lot de 1
0.28fr TTC
(0.26fr HT)
0.28fr
Quantité en stock : 96
EGP20G

EGP20G

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombr...
EGP20G
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V
EGP20G
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V
Lot de 1
0.66fr TTC
(0.61fr HT)
0.66fr
Quantité en stock : 553
EGP20D

EGP20D

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombr...
EGP20D
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V
EGP20D
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Gl, S. Remarque: 75Ap/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V
Lot de 1
0.53fr TTC
(0.49fr HT)
0.53fr

Nous vous recommandons aussi :

Quantité en stock : 380
SG3525AN

SG3525AN

Régulateur de tension. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré analogique. Boîtier: so...
SG3525AN
[LONGDESCRIPTION]
SG3525AN
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.11fr TTC
(1.95fr HT)
2.11fr
Quantité en stock : 10
19TQ015

19TQ015

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 19A. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: ...
19TQ015
[LONGDESCRIPTION]
19TQ015
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
3.08fr TTC
(2.85fr HT)
3.08fr
Quantité en stock : 25905
1N5819

1N5819

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Boîtier: soudure sur circu...
1N5819
[LONGDESCRIPTION]
1N5819
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0438fr TTC
(0.0405fr HT)
0.0438fr
Quantité en stock : 1574
1N5711

1N5711

Diode. Cj: 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: dé...
1N5711
[LONGDESCRIPTION]
1N5711
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.12fr TTC
(0.11fr HT)
0.12fr
Quantité en stock : 7518
1N5822

1N5822

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Boîtier: soudure sur circu...
1N5822
[LONGDESCRIPTION]
1N5822
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.12fr TTC
(0.11fr HT)
0.12fr
Quantité en stock : 4299
1N5817

1N5817

Diode. Cj: 110pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: S...
1N5817
[LONGDESCRIPTION]
1N5817
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0604fr TTC
(0.0559fr HT)
0.0604fr
Quantité en stock : 240
SB3200

SB3200

Diode. Cj: 175pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-...
SB3200
[LONGDESCRIPTION]
SB3200
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.88fr TTC
(0.81fr HT)
0.88fr

Renseignements et aide technique

Par téléphone :
Par email
Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

S'abonner à la newsletter

J'accepte de recevoir des emails, et je comprends que je peux me désabonner à tout moment après inscription.

Tous droits réservés, RPtronics, 2024.