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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode BYV27-200-TAP

Diode BYV27-200-TAP
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Diode BYV27-200-TAP. Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOD-57. Boîtier (norme JEDEC): Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..150uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. VRRM: 200V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.07V @ 3A. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.

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BYV27-600
Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS
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