Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.79fr | 0.85fr |
5 - 9 | 0.75fr | 0.81fr |
10 - 24 | 0.71fr | 0.77fr |
25 - 49 | 0.67fr | 0.72fr |
50 - 61 | 0.65fr | 0.70fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.79fr | 0.85fr |
5 - 9 | 0.75fr | 0.81fr |
10 - 24 | 0.71fr | 0.77fr |
25 - 49 | 0.67fr | 0.72fr |
50 - 61 | 0.65fr | 0.70fr |
Diode BYV27-600. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.
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