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Diode haute-tension - MW-D004-2A

Diode haute-tension - MW-D004-2A
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1 - 4 1.87fr 2.02fr
5 - 9 1.78fr 1.92fr
10 - 24 1.68fr 1.82fr
25 - 49 1.59fr 1.72fr
50 - 99 1.55fr 1.68fr
100 - 249 1.42fr 1.54fr
250 - 366 1.35fr 1.46fr
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HVM-12

HVM-12

Equivalences: 2CL3512H...
HVM-12
Equivalences: 2CL3512H
HVM-12
Equivalences: 2CL3512H
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BY16

BY16

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Boîtier: soudure sur ...
BY16
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D7.3x22mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 30A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 16 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 15V @ 0.3A. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: oui. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 15V. VRRM: 16000V
BY16
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D7.3x22mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 30A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 16 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 15V @ 0.3A. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: oui. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 15V. VRRM: 16000V
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Diode. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min....
BY12
Diode. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 7.3x22mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. VRRM: 12000V
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Diode. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 7.3x22mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. VRRM: 12000V
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