Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.22fr | 0.24fr |
10 - 24 | 0.21fr | 0.23fr |
25 - 49 | 0.20fr | 0.22fr |
50 - 99 | 0.19fr | 0.21fr |
100 - 249 | 0.16fr | 0.17fr |
250 - 499 | 0.15fr | 0.16fr |
500 - 580 | 0.14fr | 0.15fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.22fr | 0.24fr |
10 - 24 | 0.21fr | 0.23fr |
25 - 49 | 0.20fr | 0.22fr |
50 - 99 | 0.19fr | 0.21fr |
100 - 249 | 0.16fr | 0.17fr |
250 - 499 | 0.15fr | 0.16fr |
500 - 580 | 0.14fr | 0.15fr |
Diode, 3A, 150A crête, DO-27, DO-27 (5.6 x 9.5mm), 200V - HER303. Diode, 3A, 150A crête, DO-27, DO-27 (5.6 x 9.5mm), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A crête. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 14:25.
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