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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode HER303

Diode HER303
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50 - 99 0.19fr 0.21fr
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Diode HER303. Diode. Cj: 70pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 3A. IFSM: 150A crête. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.6 x 9.5mm). Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.

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Diode. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 3A
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Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 3A
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