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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V - MBRS360T3G

Diode, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V - MBRS360T3G
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10 - 24 0.53fr 0.57fr
25 - 49 0.51fr 0.55fr
50 - 99 0.48fr 0.52fr
100 - 249 0.44fr 0.48fr
250 - 499 0.43fr 0.46fr
500 - 1148 0.41fr 0.44fr
Quantité U.P
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Diode, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V - MBRS360T3G. Diode, 3A, 80A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B36. Equivalences: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 11:25.

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SS36-E3
Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 10mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS36. Equivalences: SS36-E3/9AT. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS36-E3
Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 10mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS36. Equivalences: SS36-E3/9AT. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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(0.37fr HT)
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MBRS3100T3G

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Diode, 3A, 130A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 130A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B310. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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Diode, 3A, 130A, DO-214, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 130A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: B310. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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