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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode UF4003

Diode UF4003
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5 - 9 0.82fr 0.89fr
10 - 24 0.77fr 0.83fr
25 - 47 0.72fr 0.78fr
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Lot de 10

Diode UF4003. Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

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Lot de 10
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UF4007
Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI-S. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Diode. Conditionnement: rouleau. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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