Diodes Zéner

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMD-Z. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 22V. Tension Zéner: 22V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Date de production: 2015/05. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. VRRM: 24V. Tension Zéner: 24V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension Zéner: 2.4V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. VRRM: 2.7V. Tension Zéner: 2.7V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension Zéner: 30 v. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Dimensions: 3.4x1.6mm. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: 12.7k Ohms. Tension Zéner: 36V. Remarque: SI-Z SMD

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 40uA. IRM (min): 4uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension Zéner: 3V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 40uA. IRM (min): 2uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension Zéner: 3.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Date de production: 2012/48. IRM (max): 40uA. IRM (min): 2uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension Zéner: 3.6V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. VRRM: 3.9V. Tension Zéner: 3.9V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Distance entre connexions (pas): 3.4x1.6mm. VRRM: 43V. Remarque: SOD-80. Remarque: SI-Z SMD

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 20uA. IRM (min): 1uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension Zéner: 4.3V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Date de production: 2014/45. IRM (max): 10uA. IRM (min): 0.5uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension Zéner: 4.7V. Nombre de connexions: 2. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SI-Z SMD. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension Zéner: 5.6V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Date de production: 2014/44. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. VRRM: 6.8V. Tension Zéner: 6.8V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. VRRM: 7.5V. Tension Zéner: 7.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80. VRRM: 9.1V. Tension Zéner: 9.1V. Nombre de connexions: 2. Remarque: 3.4x1.6mm. Remarque: SI-Z SMD. Quantité par boîtier: 1

Diode Zéner. RoHS: non. Famille de composants: Diode Zener 1W. Composant monté en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 4.7V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner. RoHS: oui. Famille de composants: Diode Zener 1W. Composant monté en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 5.1V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 0.8V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner. RoHS: non. Famille de composants: Diode Zener 1W. Composant monté en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 5.6V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner. RoHS: oui. Famille de composants: Diode Zener 3W. Composant monté en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 150V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 1.3W (25°C), 5%

Diode Zéner. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 11V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 8.2V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 8 Ohms @ 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 1.3W (25°C), 5%

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 13V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 10V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 10 Ohms @ 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 1.3W (25°C), 5%

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 15V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 11V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 15 Ohms @ 15mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 1.3W (25°C), 5%