Transistor FDC365P

Transistor FDC365P. Transistor. C (in): 530pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 365P. Marquage sur le boîtier: 365 P. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 35V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: onduleurs, alimentations électriques. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.