Transistor FDD6635

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.60fr	1.73fr
5 - 9	1.52fr	1.64fr
10 - 24	1.44fr	1.56fr
25 - 49	1.36fr	1.47fr
50 - 82	1.33fr	1.44fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.60fr	1.73fr
5 - 9	1.52fr	1.64fr
10 - 24	1.44fr	1.56fr
25 - 49	1.36fr	1.47fr
50 - 82	1.33fr	1.44fr

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Lot de 1

Transistor FDD6635. Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 317pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 59A. Idss (maxi): 59A. Marquage sur le boîtier: FDD6635. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 55W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

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