Transistor FDD8878

Transistor FDD8878. Transistor. C (in): 880pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.