Transistor FDS6679AZ

Transistor FDS6679AZ. Transistor. C (in): 2890pF. C (out): 500pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): n/a. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.