Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.59fr | 0.64fr |
5 - 9 | 0.56fr | 0.61fr |
10 - 24 | 0.53fr | 0.57fr |
25 - 49 | 0.50fr | 0.54fr |
50 - 99 | 0.49fr | 0.53fr |
100 - 249 | 0.48fr | 0.52fr |
250 - 2192 | 0.46fr | 0.50fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.59fr | 0.64fr |
5 - 9 | 0.56fr | 0.61fr |
10 - 24 | 0.53fr | 0.57fr |
25 - 49 | 0.50fr | 0.54fr |
50 - 99 | 0.49fr | 0.53fr |
100 - 249 | 0.48fr | 0.52fr |
250 - 2192 | 0.46fr | 0.50fr |
Transistor FDS8884. Transistor. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 17:25.
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