Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.19fr | 0.21fr |
10 - 24 | 0.18fr | 0.19fr |
25 - 49 | 0.17fr | 0.18fr |
50 - 99 | 0.17fr | 0.18fr |
100 - 249 | 0.13fr | 0.14fr |
250 - 499 | 0.13fr | 0.14fr |
500 - 8548 | 0.12fr | 0.13fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.19fr | 0.21fr |
10 - 24 | 0.18fr | 0.19fr |
25 - 49 | 0.17fr | 0.18fr |
50 - 99 | 0.17fr | 0.18fr |
100 - 249 | 0.13fr | 0.14fr |
250 - 499 | 0.13fr | 0.14fr |
500 - 8548 | 0.12fr | 0.13fr |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -25V, -0.46A - FDV304P. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -25V, -0.46A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.46A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 304. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.87 Ohms @ -0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 63pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur On Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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