Transistor FGH60N60SMD

Quantité	HT	TTC
1 - 1	8.89fr	9.61fr
2 - 2	8.45fr	9.13fr
3 - 4	8.00fr	8.65fr
5 - 9	7.56fr	8.17fr
10 - 19	7.38fr	7.98fr
20 - 29	7.20fr	7.78fr
30 - 65	6.94fr	7.50fr

Quantité	U.P
1 - 1	8.89fr	9.61fr
2 - 2	8.45fr	9.13fr
3 - 4	8.00fr	8.65fr
5 - 9	7.56fr	8.17fr
10 - 19	7.38fr	7.98fr
20 - 29	7.20fr	7.78fr
30 - 65	6.94fr	7.50fr

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Transistor FGH60N60SMD. Transistor. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SMD. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 18 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.

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