Transistor FQA10N80C

Transistor FQA10N80C. Transistor. C (in): 2150pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 730 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6.32A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA10N80C. Dissipation de puissance maxi: 240W. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.