Transistor FQD30N06L

Transistor FQD30N06L. Transistor. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 96A. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 30N06L. Dissipation de puissance maxi: 44W. Résistance passante Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.