Transistor FQP13N10

Transistor FQP13N10. Transistor. C (in): 345pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 72 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. Id (T=100°C): 9.05A. Id (T=25°C): 12.8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 65W. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: oui. Poids: 2.07g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Fonction: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.