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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor FQP50N06

Transistor FQP50N06
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Transistor FQP50N06. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 70us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 240A. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P65NF06. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
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