Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65fr | 1.78fr |
5 - 9 | 1.57fr | 1.70fr |
10 - 24 | 1.48fr | 1.60fr |
25 - 45 | 1.40fr | 1.51fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65fr | 1.78fr |
5 - 9 | 1.57fr | 1.70fr |
10 - 24 | 1.48fr | 1.60fr |
25 - 45 | 1.40fr | 1.51fr |
Transistor canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP65NF06. Transistor canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 70us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P65NF06. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.
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