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Transistor FQP7N80C

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Transistor FQP7N80C. Transistor. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 167W. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 27nC, faible Crss 10pF. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.

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