Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.24fr | 2.42fr |
5 - 9 | 2.13fr | 2.30fr |
10 - 24 | 2.02fr | 2.18fr |
25 - 49 | 1.91fr | 2.06fr |
50 - 63 | 1.86fr | 2.01fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.24fr | 2.42fr |
5 - 9 | 2.13fr | 2.30fr |
10 - 24 | 2.02fr | 2.18fr |
25 - 49 | 1.91fr | 2.06fr |
50 - 63 | 1.86fr | 2.01fr |
Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80C. Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 27nC, faible Crss 10pF. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 00:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.