Transistor FQPF8N80C

Transistor FQPF8N80C. Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 59W. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.