Transistor FQU20N06L

Transistor FQU20N06L. Transistor. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id(imp): 68.8A. Id (T=100°C): 10.9A. Id (T=25°C): 17.2A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 9.5nC). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 09:25.