Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.18fr | 1.28fr |
2 - 2 | 1.12fr | 1.21fr |
3 - 4 | 1.06fr | 1.15fr |
5 - 9 | 1.04fr | 1.12fr |
10 - 24 | 1.00fr | 1.08fr |
25 - 49 | 0.89fr | 0.96fr |
50 - 172 | 0.85fr | 0.92fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.18fr | 1.28fr |
2 - 2 | 1.12fr | 1.21fr |
3 - 4 | 1.06fr | 1.15fr |
5 - 9 | 1.04fr | 1.12fr |
10 - 24 | 1.00fr | 1.08fr |
25 - 49 | 0.89fr | 0.96fr |
50 - 172 | 0.85fr | 0.92fr |
Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 1000V - HER108. Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. Equivalences: HER108G. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 23:25.
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