Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.45fr | 0.49fr |
10 - 24 | 0.43fr | 0.46fr |
25 - 49 | 0.40fr | 0.43fr |
50 - 99 | 0.38fr | 0.41fr |
100 - 249 | 0.37fr | 0.40fr |
250 - 499 | 0.34fr | 0.37fr |
500 - 2121 | 0.32fr | 0.35fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.45fr | 0.49fr |
10 - 24 | 0.43fr | 0.46fr |
25 - 49 | 0.40fr | 0.43fr |
50 - 99 | 0.38fr | 0.41fr |
100 - 249 | 0.37fr | 0.40fr |
250 - 499 | 0.34fr | 0.37fr |
500 - 2121 | 0.32fr | 0.35fr |
Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V - BYV26E. Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 22:25.
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