Transistor TIP122

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.60fr	0.65fr
5 - 9	0.57fr	0.62fr
10 - 24	0.54fr	0.58fr
25 - 49	0.51fr	0.55fr
50 - 99	0.50fr	0.54fr
100 - 249	0.49fr	0.53fr
250 - 3661	0.46fr	0.50fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.60fr	0.65fr
5 - 9	0.57fr	0.62fr
10 - 24	0.54fr	0.58fr
25 - 49	0.51fr	0.55fr
50 - 99	0.50fr	0.54fr
100 - 249	0.49fr	0.53fr
250 - 3661	0.46fr	0.50fr

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Transistor TIP122. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP122. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: silicium. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 13:25.

Documentation technique