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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D

Transistor IGBT HGTG20N60A4D
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2 - 2 8.16fr 8.82fr
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5 - 9 7.73fr 8.36fr
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Transistor IGBT. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 35 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Marquage sur le boîtier: 20N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 73 ns. Td(on): 15 ns. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

Documentation technique

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Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V
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