Transistor IGBT HGTG20N60A4D

Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60A4D. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 73 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Dissipation maximale Ptot [W]: 290W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 35 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 11:25.