Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.07fr | 3.32fr |
5 - 9 | 2.92fr | 3.16fr |
10 - 24 | 2.77fr | 2.99fr |
25 - 49 | 2.61fr | 2.82fr |
50 - 99 | 2.55fr | 2.76fr |
100 - 249 | 2.49fr | 2.69fr |
250 - 637 | 2.40fr | 2.59fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.07fr | 3.32fr |
5 - 9 | 2.92fr | 3.16fr |
10 - 24 | 2.77fr | 2.99fr |
25 - 49 | 2.61fr | 2.82fr |
50 - 99 | 2.55fr | 2.76fr |
100 - 249 | 2.49fr | 2.69fr |
250 - 637 | 2.40fr | 2.59fr |
Transistor HUF75645S3S. Transistor. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 S. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AB ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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