Transistor IHW20N135R3

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.55fr	6.00fr
2 - 2	5.27fr	5.70fr
3 - 4	4.99fr	5.39fr
5 - 9	4.72fr	5.10fr
10 - 19	4.61fr	4.98fr
20 - 29	4.49fr	4.85fr
30 - 32	4.33fr	4.68fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.55fr	6.00fr
2 - 2	5.27fr	5.70fr
3 - 4	4.99fr	5.39fr
5 - 9	4.72fr	5.10fr
10 - 19	4.61fr	4.98fr
20 - 29	4.49fr	4.85fr
30 - 32	4.33fr	4.68fr

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Transistor IHW20N135R3. Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Inductive?cooking. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: H20R1353. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.

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