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Transistor IRF1010N

Transistor IRF1010N
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Transistor IRF1010N. Transistor. C (in): 3210pF. C (out): 690pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 180W. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Utilisation: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.

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