Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.76fr | 1.90fr |
5 - 9 | 1.67fr | 1.81fr |
10 - 24 | 1.59fr | 1.72fr |
25 - 49 | 1.50fr | 1.62fr |
50 - 99 | 1.46fr | 1.58fr |
100 - 134 | 1.33fr | 1.44fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.76fr | 1.90fr |
5 - 9 | 1.67fr | 1.81fr |
10 - 24 | 1.59fr | 1.72fr |
25 - 49 | 1.50fr | 1.62fr |
50 - 99 | 1.46fr | 1.58fr |
100 - 134 | 1.33fr | 1.44fr |
Transistor IRF2807. Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.
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