Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.88fr | 2.03fr |
5 - 9 | 1.78fr | 1.92fr |
10 - 24 | 1.69fr | 1.83fr |
25 - 49 | 1.59fr | 1.72fr |
50 - 99 | 1.56fr | 1.69fr |
100 - 117 | 1.41fr | 1.52fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.88fr | 2.03fr |
5 - 9 | 1.78fr | 1.92fr |
10 - 24 | 1.69fr | 1.83fr |
25 - 49 | 1.59fr | 1.72fr |
50 - 99 | 1.56fr | 1.69fr |
100 - 117 | 1.41fr | 1.52fr |
Transistor IRF3205S. Transistor. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 390A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250nA. Idss (min): 25nA. Equivalences: IRF3205SPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.
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