Transistor IRF3808

Transistor IRF3808. Transistor. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. Id (T=100°C): 97A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF3808. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.0059 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.