Transistor IRF510

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.94fr	1.02fr
5 - 9	0.89fr	0.96fr
10 - 24	0.85fr	0.92fr
25 - 49	0.80fr	0.86fr
50 - 99	0.78fr	0.84fr
100 - 178	0.76fr	0.82fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.94fr	1.02fr
5 - 9	0.89fr	0.96fr
10 - 24	0.85fr	0.92fr
25 - 49	0.80fr	0.86fr
50 - 99	0.78fr	0.84fr
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Lot de 1

Transistor IRF510. Transistor. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 43W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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