Transistor IRF5305

Transistor IRF5305. Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.