Transistor canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.26fr	1.36fr
5 - 9	1.20fr	1.30fr
10 - 24	1.14fr	1.23fr
25 - 49	1.07fr	1.16fr
50 - 99	1.05fr	1.14fr
100 - 249	0.96fr	1.04fr
250 - 326	0.92fr	0.99fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.26fr	1.36fr
5 - 9	1.20fr	1.30fr
10 - 24	1.14fr	1.23fr
25 - 49	1.07fr	1.16fr
50 - 99	1.05fr	1.14fr
100 - 249	0.96fr	1.04fr
250 - 326	0.92fr	0.99fr

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Transistor canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N. Transistor canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1960pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 115 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

Documentation technique