Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.85fr | 2.00fr |
5 - 9 | 1.76fr | 1.90fr |
10 - 24 | 1.67fr | 1.81fr |
25 - 49 | 1.58fr | 1.71fr |
50 - 99 | 1.54fr | 1.66fr |
100 - 152 | 1.39fr | 1.50fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.85fr | 2.00fr |
5 - 9 | 1.76fr | 1.90fr |
10 - 24 | 1.67fr | 1.81fr |
25 - 49 | 1.58fr | 1.71fr |
50 - 99 | 1.54fr | 1.66fr |
100 - 152 | 1.39fr | 1.50fr |
Transistor IRF644. Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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