Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.66fr | 0.71fr |
5 - 9 | 0.63fr | 0.68fr |
10 - 24 | 0.60fr | 0.65fr |
25 - 49 | 0.56fr | 0.61fr |
50 - 99 | 0.55fr | 0.59fr |
100 - 249 | 0.49fr | 0.53fr |
250 - 711 | 0.46fr | 0.50fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.66fr | 0.71fr |
5 - 9 | 0.63fr | 0.68fr |
10 - 24 | 0.60fr | 0.65fr |
25 - 49 | 0.56fr | 0.61fr |
50 - 99 | 0.55fr | 0.59fr |
100 - 249 | 0.49fr | 0.53fr |
250 - 711 | 0.46fr | 0.50fr |
Transistor IRF7205PBF. Transistor. C (in): 870pF. C (out): 720pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 15A. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.
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