Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.12fr | 1.21fr |
5 - 9 | 1.06fr | 1.15fr |
10 - 24 | 1.01fr | 1.09fr |
25 - 49 | 0.95fr | 1.03fr |
50 - 99 | 0.93fr | 1.01fr |
100 - 112 | 0.79fr | 0.85fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.12fr | 1.21fr |
5 - 9 | 1.06fr | 1.15fr |
10 - 24 | 1.01fr | 1.09fr |
25 - 49 | 0.95fr | 1.03fr |
50 - 99 | 0.93fr | 1.01fr |
100 - 112 | 0.79fr | 0.85fr |
Transistor IRF820. Transistor. C (out): 92pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. C (in): 360pF. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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