Transistor IRF830

Transistor IRF830. Transistor. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.