Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.07fr | 1.16fr |
25 - 49 | 1.05fr | 1.14fr |
50 - 99 | 1.03fr | 1.11fr |
100 - 249 | 0.94fr | 1.02fr |
250 - 263 | 0.90fr | 0.97fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.07fr | 1.16fr |
25 - 49 | 1.05fr | 1.14fr |
50 - 99 | 1.03fr | 1.11fr |
100 - 249 | 0.94fr | 1.02fr |
250 - 263 | 0.90fr | 0.97fr |
Transistor canal P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9520N. Transistor canal P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Protection G-S: non. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 4.1A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 19:25.
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