Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02fr | 1.10fr |
5 - 9 | 0.97fr | 1.05fr |
10 - 24 | 0.92fr | 0.99fr |
25 - 49 | 0.87fr | 0.94fr |
50 - 99 | 0.85fr | 0.92fr |
100 - 195 | 0.76fr | 0.82fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02fr | 1.10fr |
5 - 9 | 0.97fr | 1.05fr |
10 - 24 | 0.92fr | 0.99fr |
25 - 49 | 0.87fr | 0.94fr |
50 - 99 | 0.85fr | 0.92fr |
100 - 195 | 0.76fr | 0.82fr |
Transistor IRF9610. Transistor. C (in): 170pF. C (out): 50pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 7A. Id (T=100°C): 1A. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 20W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.
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