Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87fr | 0.94fr |
5 - 9 | 0.83fr | 0.90fr |
10 - 24 | 0.78fr | 0.84fr |
25 - 49 | 0.74fr | 0.80fr |
50 - 99 | 0.72fr | 0.78fr |
100 - 118 | 0.63fr | 0.68fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87fr | 0.94fr |
5 - 9 | 0.83fr | 0.90fr |
10 - 24 | 0.78fr | 0.84fr |
25 - 49 | 0.74fr | 0.80fr |
50 - 99 | 0.72fr | 0.78fr |
100 - 118 | 0.63fr | 0.68fr |
Transistor IRF9Z34N. Transistor. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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