Transistor IRFB3206

Transistor IRFB3206. Transistor. C (in): 6540pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 840A. Id (T=100°C): 150A. Id (T=25°C): 210A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.