Transistor IRFBC30

Transistor IRFBC30. Transistor. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.