Transistor IRFD120

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.94fr	1.02fr
5 - 9	0.89fr	0.96fr
10 - 24	0.85fr	0.92fr
25 - 49	0.80fr	0.86fr
50 - 99	0.78fr	0.84fr
100 - 135	0.76fr	0.82fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.94fr	1.02fr
5 - 9	0.89fr	0.96fr
10 - 24	0.85fr	0.92fr
25 - 49	0.80fr	0.86fr
50 - 99	0.78fr	0.84fr
100 - 135	0.76fr	0.82fr

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Lot de 1

Transistor IRFD120. Transistor. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 0.94A. Id (T=25°C): 1.3A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.

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