Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 24 | 0.63fr | 0.68fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 99 | 0.58fr | 0.63fr |
100 - 191 | 0.52fr | 0.56fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 24 | 0.63fr | 0.68fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 99 | 0.58fr | 0.63fr |
100 - 191 | 0.52fr | 0.56fr |
Transistor IRFL024N. Transistor. C (in): 400pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 11.2A. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 2.8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRFL024NPBF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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