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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistor IRFL4105PBF

Transistor IRFL4105PBF
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.11fr 1.20fr
5 - 9 1.05fr 1.14fr
10 - 24 0.99fr 1.07fr
25 - 49 0.78fr 0.84fr
50 - 99 0.76fr 0.82fr
100 - 249 0.74fr 0.80fr
250 - 359 0.74fr 0.80fr
Quantité U.P
1 - 4 1.11fr 1.20fr
5 - 9 1.05fr 1.14fr
10 - 24 0.99fr 1.07fr
25 - 49 0.78fr 0.84fr
50 - 99 0.76fr 0.82fr
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Quantité en stock : 359
Lot de 1

Transistor IRFL4105PBF. Transistor. RoHS: oui. C (in): 660pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. IGF: 660pF. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 12:25.

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