Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 4.93fr | 5.33fr |
2 - 2 | 4.69fr | 5.07fr |
3 - 4 | 4.44fr | 4.80fr |
5 - 9 | 4.19fr | 4.53fr |
10 - 19 | 4.09fr | 4.42fr |
20 - 29 | 4.00fr | 4.32fr |
30 - 52 | 3.85fr | 4.16fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 4.93fr | 5.33fr |
2 - 2 | 4.69fr | 5.07fr |
3 - 4 | 4.44fr | 4.80fr |
5 - 9 | 4.19fr | 4.53fr |
10 - 19 | 4.09fr | 4.42fr |
20 - 29 | 4.00fr | 4.32fr |
30 - 52 | 3.85fr | 4.16fr |
Transistor IRFPG50. Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.
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