Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.15fr | 1.24fr |
5 - 9 | 1.09fr | 1.18fr |
10 - 24 | 1.03fr | 1.11fr |
25 - 49 | 0.98fr | 1.06fr |
50 - 99 | 0.95fr | 1.03fr |
100 - 192 | 0.86fr | 0.93fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.15fr | 1.24fr |
5 - 9 | 1.09fr | 1.18fr |
10 - 24 | 1.03fr | 1.11fr |
25 - 49 | 0.98fr | 1.06fr |
50 - 99 | 0.95fr | 1.03fr |
100 - 192 | 0.86fr | 0.93fr |
Transistor IRFU024N. Transistor. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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